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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6500 | GE |
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HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N6500 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N6500 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2N6500 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6500 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 90V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6500 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 90V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N6500E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 90V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6502 | CENTRAL |
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Dual Transistors |
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| 2N6502LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N6504 | NJSEMI |
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THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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