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2N6490

更新时间： 2024-01-27 23:04:45

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6490 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.15
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5 MHz
Base Number Matches：	1

2N6490 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6489 2N6490 2N6491

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Excellent safe operating area

·Complement to type 2N6486 2N6487

2N6488 respectively

APPLICATIONS

·Power amplifier and medium speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-50

UNIT

2N6489

2N6490

2N6491

2N6489

2N6490

2N6491

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

-70

-90

-40

V_CEO

Collector-emitter voltage

-60

-80

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

T_C=25ꢀ

-5

ꢀ

-15

I_B

Base current

-5

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.67

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N649016A	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
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2N6490-6226	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
2N6490-6261	RENESAS	15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
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