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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6465 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device |
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| 2N6465 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6465 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6465 | NJSEMI | Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
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| 2N6465 | CENTRAL | Power Transistors |
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| 2N6465 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, METAL |
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