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2N6463

更新时间: 2024-01-05 18:35:17
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
N-P-N SILICON TRANSISTORS

2N6463 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:250 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-205ADJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz

2N6463 数据手册

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