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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.25 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6426RLRAG | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Transistors NPN Silicon |
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| 2N6426RLRF | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6426TRC | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N6426TRD | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N6426TRE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N6426TRH | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N6426ZL1 | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
|
| 2N6427 | TI |
获取价格 |
1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6427 | NXP |
获取价格 |
NPN Darlington transistor |
|
| 2N6427 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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