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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 7.39 | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 35 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 30 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 80 mA | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大漏电流： | 2 mA | 通态非重复峰值电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 16000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 16 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6509G | LITTELFUSE |
类似代替  |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
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| TYN816RG | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
16A SCRs |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6405-N | MOTOROLA |
获取价格 |
16A, 800V, SCR, TO-220AB |
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| 2N6405T | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2N6405-T | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6405TG | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N6405-U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
16A, 800V, SCR, TO-220, 2 PIN |
|
| 2N6405-UA | MOTOROLA |
获取价格 |
16A, 800V, SCR, TO-220AB |
|
| 2N6405-W | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| 2N6405-WC | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
|
| 2N6408 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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| 2N6410 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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