2N6399

更新时间： 2024-11-23 22:49:23

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摩托罗拉 - MOTOROLA		触发装置可控硅整流器局域网
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描述
SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

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2N6399 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	标称电路换相断开时间：	15 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	30 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	40 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	2 mA
通态非重复峰值电流：	100 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电压：	2.2 V
最大通态电流：	5000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N6399 数据手册

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by 2N6394/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

Motorola preferred devices

. . . designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls,

heating controls and power supplies.

SCRs

•

Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater Parameter

Uniformity and Stability

Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High

Heat Dissipation and Durability

12 AMPERES RMS

50 thru 800 VOLTS

Blocking Voltage to 800 Volts

CASE 221A-07

(TO-220AB)

STYLE 3

*MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

, V

Value

Unit

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

Volts

DRM RRM

(Gate Open, T = –40 to 125°C)

2N6394

2N6395

2N6397

2N6398

2N6399

100

400

600

800

RMS On–State Current (T = 90°C) (All Conduction Angles)

Amps

T(RMS)

Peak Non-Repetitive Surge Current

100

TSM

(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 125°C)

Circuit Fusing (t = 8.3 ms)

Forward Peak Power

I t

0.5

A s

Watts

Watt

Amps

°C

Forward Average Gate Power

Forward Peak Gate Current

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

G(AV)

–40 to +125

–40 to +150

°C

stg

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

*Indicates JEDEC Registered Data.

°C/W

θJC

1. V

and V

for alltypes canbe appliedon a continuous basis. Ratings apply for zeroor negativegate voltage;however, positivegate

RRM

DRM

voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current

source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1999

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6399-16	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB, TO-220, 2 PIN
2N6399-A	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6399-A16A	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220, 3
2N6399-AC	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-AD	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-AF	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
2N6399-AJ	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-AK	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-AN	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-AS	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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