5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> 2N6397T
2N6397T PDF预览

2N6397T

更新时间： 2024-01-15 11:41:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
5页 112K
描述
Silicon Controlled Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N6397T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.07
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：35 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：50 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：2 mA
通态非重复峰值电流：100 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：12000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

2N6397T 数据手册

 浏览型号2N6397T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6397T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6397T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N6397T的Datasheet PDF文件第5页 
2N6394 Series  
Silicon Controlled Rectifiers  
Reverse Blocking Thyristors  
Designed primarily for half-wave ac control applications, such as  
motor controls, heating controls and power supplies.  
Features  
http://onsemi.com  
• Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater  
Parameter Uniformity and Stability  
SCRs  
12 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
• Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal  
Resistance, High Heat Dissipation and Durability  
• Blocking Voltage to 800 V  
• These are Pb−Free Devices  
G
†
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
A
K
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Off−State Voltage (Note 1)  
V
V
DRM,  
RRM  
(T = −40 to 125°C, Sine Wave,  
V
MARKING  
DIAGRAM  
J
50 to 60 Hz, Gate Open)  
2N6394  
2N6395  
2N6397  
2N6399  
50  
100  
400  
800  
4
On-State RMS Current  
I
12  
A
A
T(RMS)  
(180° Conduction Angles; T = 90°C)  
C
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 3  
Peak Non-Repetitive Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 90°C)  
I
100  
2N639xG  
AYWW  
TSM  
J
2
2
Circuit Fusing (t = 8.3 ms)  
I t  
40  
20  
A s  
1
Forward Peak Gate Power  
P
W
W
A
GM  
2
(Pulse Width ≤ 1.0 ms, T = 90°C)  
C
3
Forward Average Gate Power  
P
0.5  
2.0  
G(AV)  
2N639x = Device Code  
x = 4, 5, 7, or 9  
(t = 8.3 ms, T = 90°C)  
C
Forward Peak Gate Current  
I
GM  
G
A
Y
WW  
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
(Pulse Width ≤ 1.0 ms, T = 90°C)  
C
Operating Junction Temperature Range  
T
J
−40 to +125  
−40 to +150  
°C  
°C  
= Work Week  
Storage Temperature Range  
†
T
stg  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
Rating  
Symbol  
Max  
2.0  
Unit  
°C/W  
°C  
1
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
2
3
4
Anode  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
Gate  
Anode  
†Indicates JEDEC Registered Data  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
1. V  
and V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings  
DRM  
RRM  
apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall  
not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
September, 2012 − Rev. 9  
2N6394/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

2N6397T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6509G LITTELFUSE

类似代替

 该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色:

与2N6397T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6397-T MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6397TG ONSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier - SCR, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
2N6397TG LITTELFUSE

获取价格

 		该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源。 功能与特色:
2N6397-U2 MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2
2N6397-UA MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6397-W MOTOROLA

获取价格

 		12A, 400V, SCR, TO-220AB
2N6398 NJSEMI

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N6398 MOTOROLA

获取价格

 		SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
2N6398 DCCOM

获取价格

 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N6398-16 MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2

与2N6397T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证