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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 2N6394G
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2N6394G

更新时间： 2024-09-24 03:56:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 63K
描述
Silicon Controlled Rectifiers SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

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2N6394G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.07Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：30 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：60 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：2 mA通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：5000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：50 V
重复峰值反向电压：50 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N6394G 数据手册

 浏览型号2N6394G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6394G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6394G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N6394G的Datasheet PDF文件第5页 
2N6394 Series  
Preferred Device  
Silicon Controlled Rectifiers  
Reverse Blocking Thyristors  
Designed primarily for half-wave ac control applications, such as  
motor controls, heating controls and power supplies.  
Features  
http://onsemi.com  
• Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater  
Parameter Uniformity and Stability  
SCRs  
12 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
• Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal  
Resistance, High Heat Dissipation and Durability  
• Blocking Voltage to 800 V  
• Pb−Free Packages are Available*  
G
†
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
A
K
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Off−State Voltage (Note 1)  
V
V
V
DRM,  
RRM  
(T = −40 to 125°C, Sine Wave,  
MARKING  
DIAGRAM  
J
50 to 60 Hz, Gate Open)  
2N6394  
2N6395  
2N6397  
2N6399  
50  
100  
400  
800  
4
On-State RMS Current  
(180° Conduction Angles; T = 90°C)  
I
12  
A
A
T(RMS)  
C
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 3  
Peak Non-Repetitive Surge Current  
I
100  
2N639xG  
AYWW  
TSM  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 90°C)  
J
2
2
Circuit Fusing (t = 8.3 ms)  
I t  
40  
20  
A s  
Forward Peak Gate Power  
P
W
W
A
1
GM  
2
(Pulse Width ≤ 1.0 ms, T = 90°C)  
C
3
Forward Average Gate Power  
P
0.5  
2.0  
G(AV)  
2N639x = Device Code  
x = 4, 5, 7, or 9  
(t = 8.3 ms, T = 90°C)  
C
Forward Peak Gate Current  
I
GM  
G
A
Y
WW  
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
(Pulse Width ≤ 1.0 ms, T = 90°C)  
C
Operating Junction Temperature Range  
T
−40 to +125  
−40 to +150  
°C  
°C  
J
= Work Week  
Storage Temperature Range  
†
T
stg  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
Rating  
Symbol  
Max  
2.0  
Unit  
°C/W  
°C  
1
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
2
3
4
Anode  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
260  
L
Gate  
Anode  
†Indicates JEDEC Registered Data  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
1. V  
and V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
DRM  
RRM  
apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall  
not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 6  
2N6394/D  
 
12345

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2N6394G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6394TG ONSEMI

完全替代

 Silicon Controlled Rectifier - SCR, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
2N6394 ONSEMI

完全替代

 Silicon Controlled Rectifiers
2N6509G LITTELFUSE

功能相似

 该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色:

与2N6394G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6394-N MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6394-T MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6394TG ONSEMI

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 		Silicon Controlled Rectifier - SCR, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
2N6394TG LITTELFUSE

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 		该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源。 功能与特色:
2N6394-U MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6394-U2 MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2 PI
2N6394-W MOTOROLA

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 		暂无描述
2N6394-WC MOTOROLA

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2N6395 MOTOROLA

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