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2N638B

更新时间: 2024-02-13 13:25:52
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 372K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3

2N638B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-609代码:e0最高工作温度:100 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2N638B 数据手册

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