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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> 2N6349A
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2N6349A

更新时间： 2024-11-24 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
8页 62K
描述
Silicon Bidirectional Thyristors

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2N6349A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.16
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：125 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：75 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

2N6349A 数据手册

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Preferred Device  
Silicon Bidirectional Thyristors  
Designed primarily for full-wave ac control applications, such as  
light dimmers, motor controls, heating controls and power supplies; or  
wherever full-wave silicon gate controlled solid-state devices are  
needed. Triac type thyristors switch from a blocking to a conducting  
state for either polarity of applied anode voltage with positive or  
negative gate triggering.  
http://onsemi.com  
TRIACS  
12 AMPERES RMS  
600 thru 800 VOLTS  
• Blocking Voltage to 800 Volts  
• All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter  
Uniformity and Stability  
• Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal  
Resistance, High Heat Dissipation and Durability  
• Gate Triggering Guaranteed in all Four Quadrants  
• For 400 Hz Operation, Consult Factory  
MT2  
MT1  
G
• 8 Ampere Devices Available as 2N6344 thru 2N6349  
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., 2N6344A, Date Code  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
*Peak Repetitive Off–State Voltage  
V
Volts  
DRM,  
(Gate Open, T = –40 to +110°C,  
V
RRM  
J
Sine Wave 50 to 60 Hz, Gate Open)  
2N6344A, 2N6348A  
2N6349A  
1
600  
800  
2
3
*On–State RMS Current  
(Full Cycle Sine Wave 50 to 60 Hz)  
I
A
A
T(RMS)  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 4  
(T = +80°C)  
(T = +95°C)  
C
12  
6.0  
C
*Peak Non–repetitive Surge Current  
(One Full Cycle, 60 Hz, T = +80°C)  
Preceded and followed by rated current  
I
100  
TSM  
PIN ASSIGNMENT  
C
1
2
3
4
Main Terminal 1  
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing Consideration (t = 8.3 ms)  
59  
20  
Main Terminal 2  
Gate  
*Peak Gate Power (T = +80°C,  
P
GM  
Watts  
Watt  
A
C
Pulse Width = 2.0 µs)  
Main Terminal 2  
*Average Gate Power  
(T = +80°C, t = 8.3 ms)  
C
P
0.5  
2.0  
10  
G(AV)  
ORDERING INFORMATION  
*Peak Gate Current  
(Pulse Width = 2.0 µs; T = +80°C)  
I
GM  
C
Device  
2N6344A  
2N6348A  
2N6349A  
Package  
TO220AB  
TO220AB  
TO220AB  
Shipping  
500/Box  
500/Box  
500/Box  
*Peak Gate Voltage  
(Pulse Width = 2.0 µs; T = +80°C)  
V
GM  
Volts  
°C  
C
*Operating Junction Temperature Range  
T
J
–40 to  
+125  
*Storage Temperature Range  
T
stg  
–40 to  
+150  
°C  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) V  
DRM  
and V for all types can be applied on a continuous basis. Blocking  
RRM  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
February, 2000 – Rev. 1  
2N6344A/D  
12345678

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2N6349A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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