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2N6295

更新时间： 2024-11-12 06:17:23

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6295 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6294 2N6295

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·DARLINGTON

·Complement to type 2N6296/6297

APPLICATIONS

·For high gain amplifier and medium

speed switching applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6294

2N6295

2N6294

2N6295

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-Peak

Base current

℃

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance from junction to case

3.5

℃/W

12 3 4

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