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2N6293

更新时间： 2024-01-03 23:42:21

品牌	Logo	应用领域
博卡 - BOCA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	104K
描述
EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

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技术参数
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2N6293 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	16 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

2N6293 数据手册

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Boca Semiconductor Corp.

BSC

http://www.bocasemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N6294	NJSEMI	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N6294LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2	获取价格

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