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2N6257

更新时间: 2024-09-25 19:54:07
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美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 97K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

2N6257 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.46外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):0.2 MHz
Base Number Matches:1

2N6257 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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