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2N6247

更新时间： 2024-02-05 13:04:44

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6247 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6247 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6246 2N6247 2N6248

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Excellent safe operating area

·High gain at high current

APPLICATIONS

·General-purpose types of switching

and linear-amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-70

UNIT

2N6246

2N6247

2N6248

2N6246

2N6247

2N6248

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-90

-110

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

-15

I_B

Base current

-5

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

125

150

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.4

ꢀ/W

12 3

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