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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 25 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 40 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.6 V | 最大维持电流： | 50 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 最大漏电流： | 5 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 350 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 11000 A |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 35 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6174 | NJSEMI |
获取价格 |
SCR, V(DRM) = 600V TO 699.9V |
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| 2N6174 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
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| 2N6178 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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| 2N6179 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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| 2N618 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N6180 | NJSEMI |
获取价格 |
P-N-P SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N6180 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,75V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126VAR |
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| 2N6181 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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| 2N6182 | NJSEMI |
获取价格 |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6182E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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