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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 40 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.6 V |
| 最大维持电流： | 50 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 最大漏电流： | 5 mA | 通态非重复峰值电流： | 350 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 11000 A | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 35 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5562 | NTE |
功能相似  |
Silicon Controlled Rectifiers (SCR’s) |
|
| 2N3889 | POWEREX |
功能相似 |
Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6172 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
|
| 2N6172 | NJSEMI |
获取价格 |
SCR, V(DRM) =200V TO 299.9V |
|
| 2N6173 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
|
| 2N6173 | NJSEMI |
获取价格 |
SEMICONDUCTOR DEVICE |
|
| 2N6174 | NJSEMI |
获取价格 |
SCR, V(DRM) = 600V TO 699.9V |
|
| 2N6174 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
|
| 2N6178 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
|
| 2N6179 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
|
| 2N618 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N6180 | NJSEMI |
获取价格 |
P-N-P SILICON POWER TRANSISTOR |
|
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