2N6166

更新时间： 2024-11-28 22:45:03

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2N6166 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	9 A
基于收集器的最大容量：	130 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	117 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6166 数据手册

2N6166

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

The ASI 2N6166 is Designed to

operate in a collector modulated VHF

Power Amplifier Applications up to 200

MHz.

.112x45°

Ø.125 NOM.

FULL R

FEATURES:

• η_C= 60 % min. @ 100 W/150 MHz

• P_G= 6.0 dB min. @ 100 W/150 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

MAXIMUM RATINGS

.220 / 5.59

.230 / 5.84

.125 / 3.18

9.0 A

65 V

I_C

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

V_CBO

V_EBO

P_DISS

T_J

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

4.0 V

117 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.5 °C/W

.980 / 24.89

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10790

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 10 Ma

V_CE= 30 V

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

4.0

5.0

---

I_CBO

I_C= 500 mA

5.0

h_FE

_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 150 MHz

130

C_OB

6.0

P_G

V_CC= 28 V

P_OUT= 100 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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