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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6109WD | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6110 | NJSEMI |
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MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS |
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| 2N6110 | BOCA |
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EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
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| 2N6110 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6110 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6110 | RENESAS |
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7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
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| 2N6111 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
|
| 2N6111 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
|
| 2N6111 | BOCA |
获取价格 |
EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
|
| 2N6111 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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