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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6109UA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6109W | MOTOROLA |
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7A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6109WD | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N6110 | NJSEMI |
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MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS |
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| 2N6110 | BOCA |
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EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
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| 2N6110 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6110 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6110 | RENESAS |
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7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
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| 2N6111 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N6111 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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