2N6103

更新时间： 2024-09-26 06:17:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6103 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6102 2N6103

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·2N6102 type with short pin

APPLICATIONS

·For use in general-purpose amplifier

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.67

℃/W

12 3

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