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2N6101

更新时间: 2024-09-26 11:45:35
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 248K
描述
SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS

2N6101 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

2N6101 数据手册

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