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2N6100

更新时间： 2024-09-26 06:17:43

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6100 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6098 2N6099 2N6100 2N6101

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High current capability

APPLICATIONS

·For use in general-purpose amplifier

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6098

2N6099

2N6100

2N6101

2N6098

2N6099

2N6100

2N6101

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to case

MAX

UNIT

R_{th j-c}

1.67

℃/W

12 3

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