是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-220F3, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 140 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 13 pF | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 23 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 180 ns |
最大开启时间(吨): | 115 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N60L-TM3-R | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
2N60L-TM3-T | UTC |
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2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
2N60L-TMA-T | UTC |
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2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
2N60L-TMS2-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor | |
2N60L-TMS4-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor | |
2N60L-TMS-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
2N60L-TN3-R | UTC |
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2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
2N60L-TN3-T | UTC |
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2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
2N60L-TND-R | UTC |
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Power Field-Effect Transistor | |
2N60L-X-T2Q-T | UTC |
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2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |