2N6071BG

更新时间： 2024-11-04 03:56:19

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安森美 - ONSEMI		触发装置可控硅三端双向交流开关栅局域网
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8页	75K
描述
Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

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2N6071BG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-225
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	7.01
Is Samacsys：	N	其他特性：	CMOS COMPATIBLE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	15 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	最大维持电流：	30 mA
JEDEC-95代码：	TO-225	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	2 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
断态重复峰值电压：	200 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

2N6071BG 数据手册

2N6071A/B Series

Preferred Device

Sensitive Gate Triacs

Silicon Bidirectional Thyristors

Designed primarily for full-wave AC control applications, such as

light dimmers, motor controls, heating controls and power supplies; or

wherever full-wave silicon gate controlled solid-state devices are

needed. Triac type thyristors switch from a blocking to a conducting

state for either polarity of applied anode voltage with positive or

negative gate triggering.

http://onsemi.com

TRIACS

4.0 A RMS, 200 − 600 V

Features

• Sensitive Gate Triggering Uniquely Compatible for Direct Coupling

to TTL, HTL, CMOS and Operational Amplifier Integrated Circuit

Logic Functions

MT2

MT1

• Gate Triggering: 4 Mode − 2N6071A, B; 2N6073A, B; 2N6075A, B

• Blocking Voltages to 600 V

• All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter

Uniformity and Stability

• Small, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal

Resistance, High Heat Dissipation and Durability

• Device Marking: Device Type, e.g., 2N6071A, Date Code

REAR VIEW

SHOW TAB

TO−225

CASE 077

STYLE 5

MARKING DIAGRAM

YWW

607xyG

1. Cathode

2. Anode

3. Gate

= 1, 3, 5

= A, B

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 7 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

Publication Order Number:

April, 2006 − Rev. 7

2N6071/D

12 3 4 5 6 7 8

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2N6071BG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6071BTG	ONSEMI	完全替代	Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

与2N6071BG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6071BLEADFREE	CENTRAL	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-126, TO-126, 3 PIN
2N6071B-PBF	DIGITRON	获取价格	TRIAC
2N6071BT	ONSEMI	获取价格	Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6071BTG	ONSEMI	获取价格	Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6071BTG	LITTELFUSE	获取价格	该三端双向可控硅主要用于全波交流控制应用，例如灯光调节器、电机控制、加热控制与电源；或用于
2N6071B-VA	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
2N6071B-VB	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
2N6071B-VD	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
2N6071B-VE	MOTOROLA	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225AA
2N6071B-VK	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA

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