2N6071B-VA

更新时间： 2024-11-20 13:04:03

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摩托罗拉 - MOTOROLA		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
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200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA

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2N6071B-VA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	其他特性：	SENSITIVE GATE
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	3 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	15 mA	JEDEC-95代码：	TO-225AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

2N6071B-VA 数据手册

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by 2N6071/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Silicon Bidirectional Thyristors

*Motorola preferred devices

. . . designed primarily for full-wave ac control applications, such as light dimmers,

motor controls, heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon

gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thyristors switch from a

blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive

or negative gate triggering.

TRIACs

4 AMPERES RMS

200 thru 600 VOLTS

•

Sensitive Gate Triggering Uniquely Compatible for Direct Coupling to TTL, HTL,

CMOS and Operational Amplifier Integrated Circuit Logic Functions

Gate Triggering 4 Mode — 2N6071A,B, 2N6073A,B, 2N6075A,B

Blocking Voltages to 600 Volts

All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter Uniformity

and Stability

•

MT1

MT2

•

Small, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat

Dissipation and Durability

MT2

CASE 77-08

(TO-225AA)

STYLE 5

MT2

MT1

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

(1)

*Peak Repetitive Off-State Voltage

DRM

Volts

(Gate Open, T = 25 to 110°C)

2N6071A,B

2N6073A,B

2N6075A,B

200

400

600

*On-State Current RMS (T = 85°C)

Amps

T(RMS)

*Peak Surge Current

TSM

(One Full cycle, 60 Hz, T = –40 to +110°C)

I t

A s

Circuit Fusing Considerations

(t = 8.3 ms)

3.7

*Peak Gate Power

0.5

Watts

Watt

*Average Gate Power

G(AV)

*Peak Gate Voltage

Volts

*Indicates JEDEC Registered Data.

1. V

for all types can be applied on a continuous basis. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source such that the

DRM

voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6071B-VB	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
2N6071B-VD	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
2N6071B-VE	MOTOROLA	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225AA
2N6071B-VK	MOTOROLA	获取价格	200V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225AA
2N6071B-VP	MOTOROLA	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225AA
2N6071-PBF	DIGITRON	获取价格	TRIAC
2N6071-VA	MOTOROLA	获取价格	TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225AA,
2N6071-VD	MOTOROLA	获取价格	TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225AA,
2N6071-VE	MOTOROLA	获取价格	TRIAC, 200V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225AA,
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