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2N6030

更新时间： 2024-01-04 01:31:07

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6030 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2N6030 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6029 2N6030

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N5629 2N5630

·High power dissipations

APPLICATIONS

·For high voltage and high power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-100

-120

-100

-120

-7

UNIT

2N6029

2N6030

2N6029

2N6030

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

-16

Collector current-peak

Base current

-20

-5.0

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

T_stg

-65~200

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6030E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N6030LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N6030PBFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor,	获取价格
2N6031	NJSEMI	POWER TRANSISTORSS PNP SILICON	获取价格
2N6031	ONSEMI	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON	获取价格
2N6031	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格