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2N6027

更新时间： 2024-01-08 00:26:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管可编程单结晶体管PC
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Programmable Unijunction Transistor

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2N6027 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.1
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值电流最大值：2 µA
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：PROGRAMMABLE UJT
Valley Current-Min：50 µABase Number Matches：1

2N6027 数据手册

 浏览型号2N6027的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6027的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6027的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N6027的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N6027的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N6027的Datasheet PDF文件第7页 
Preferred Device  
Programmable Unijunction  
Transistor Triggers  
Designed to enable the engineer to “program’’ unijunction  
http://onsemi.com  
characteristics such as R , η, I , and I by merely selecting two  
BB  
V
P
resistor values. Application includes thyristor–trigger, oscillator, pulse  
and timing circuits. These devices may also be used in special thyristor  
applications due to the availability of an anode gate. Supplied in an  
inexpensive TO–92 plastic package for high–volume requirements,  
this package is readily adaptable for use in automatic insertion  
equipment.  
PUTs  
40 VOLTS  
300 mW  
• Programmable — R , η, I and I  
BB  
V
P
G
• Low On–State Voltage — 1.5 Volts Maximum @ I = 50 mA  
A
F
K
• Low Gate to Anode Leakage Current — 10 nA Maximum  
• High Peak Output Voltage — 11 Volts Typical  
• Low Offset Voltage — 0.35 Volt Typical (R = 10 k ohms)  
G
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., 2N6027, Date Code  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
3
*Power Dissipation  
Derate Above 25°C  
P
1/θ  
300  
4.0  
mW  
mW/°C  
F
JA  
*DC Forward Anode Current  
Derate Above 25°C  
I
T
150  
2.67  
mA  
mA/°C  
TO–92 (TO–226AA)  
CASE 029  
STYLE 16  
*DC Gate Current  
I
G
50  
mA  
Repetitive Peak Forward Current  
100 µs Pulse Width, 1% Duty Cycle  
*20 µs Pulse Width, 1% Duty Cycle  
I
Amps  
TRM  
PIN ASSIGNMENT  
Anode  
1.0  
2.0  
1
2
3
Gate  
Non–Repetitive Peak Forward Current  
10 µs Pulse Width  
I
5.0  
Amps  
TSM  
Cathode  
*Gate to Cathode Forward Voltage  
*Gate to Cathode Reverse Voltage  
*Gate to Anode Reverse Voltage  
V
40  
5.0  
40  
40  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
°C  
GKF  
GKR  
GAR  
V
V
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
(1)  
*Anode to Cathode Voltage  
V
AK  
Operating Junction Temperature Range  
T
J
–50 to  
+100  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*Storage Temperature Range  
T
stg  
–55 to  
+150  
°C  
*Indicates JEDEC Registered Data  
(1) Anode positive, R  
= 1000 ohms  
GA  
Anode negative, R  
= open  
GA  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
May, 2000 – Rev. 2  
2N6027/D  
12345678

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