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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-66 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5954_10 | CENTRAL | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5954_13 | NJSEMI | Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
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| 2N5955 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N5955 | NJSEMI | Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
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| 2N5955 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5955 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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