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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.77 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5953TRF | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5953TRG | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5953TRH | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5954 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N5954 | NJSEMI | Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
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| 2N5954 | CENTRAL | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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