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2N5953

更新时间： 2025-08-08 19:23:07
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页数 文件大小 规格书
4页 383K
描述
元器件封装:TO-92-3;

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2N5953 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.005 A
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2 pF
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
最小功率增益 (Gp)：5 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N5953 数据手册

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2N5949 2N5951  
2N5952 2N5953  
www.centralsemi.com  
SILICON  
N-CHANNEL JFETS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5949 Series  
devices are silicon N-Channel JFETs designed for  
switching, RF amplifier and mixer applications where  
low capacitance is desired.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92-18R CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
30  
30  
GS  
DG  
Drain-Gate Voltage  
V
V
Gate Current  
I
10  
mA  
mW  
°C  
G
Power Dissipation  
P
360  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N5949  
2N5951  
MIN MAX  
2N5952  
MIN MAX  
2N5953  
MIN MAX UNITS  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
I
I
I
V
V
V
=15V, V =0  
-
1.0  
200  
18  
-
-
1.0  
200  
13  
-
-
1.0  
-
1.0  
nA  
nA  
mA  
V
GSS  
GSS  
DSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
=15V, V =0, T =100°C  
DS  
-
-
-
200  
-
200  
A
=15V, V =0  
12  
30  
7.0  
30  
-
4.0 8.0  
2.5 5.0  
GS  
BV  
I =1.0μA  
30  
-
-
-
-
30  
-
-
-
-
-
GSS  
G
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=15V, I =1.2mA  
2.25 6.0  
-
V
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
D
=15V, I =0.7mA  
-
-
-
-
-
-
1.3 4.5  
-
-
V
GS  
GS  
D
=15V, I =0.4mA  
-
-
-
-
0.75 3.0  
-
V
D
=15V, I =0.25mA  
-
-
0.5 2.5  
0.8 3.0  
2.0 6.5  
V
GS  
D
=15V, I =100nA  
3.0 7.0  
3.5 7.5  
2.0 5.0  
3.5 6.5  
1.3 3.5  
2.0 6.5  
V
GS(OFF)  
fs  
D
y
y
=15V, V =0, f=1.0kHz  
mS  
ꢀS  
pF  
pF  
Ω
GS  
=15V, V =0, f=1.0kHz  
GS  
-
-
-
-
-
75  
6.0  
2.0  
200  
250  
-
-
-
-
-
75  
6.0  
2.0  
250  
250  
-
-
-
-
-
50  
6.0  
2.0  
300  
250  
-
-
-
-
-
50  
6.0  
2.0  
375  
250  
os  
C
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
iss  
GS  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
rss  
r
=0, I =0, f=1.0kHz  
ds(on)  
D
g
g
g
=15V, V =0, f=100MHz  
GS  
μS  
mS  
μS  
is  
=15V, V =0, f=100MHz  
3.0 7.5  
3.0 6.5  
1.0 6.5  
1.0 6.5  
fs  
os  
GS  
=15V, V =0, f=100MHz  
GS  
-
-
150  
-
-
100  
-
-
75  
-
-
50  
5.0  
2.0  
NF  
=15V, V =0, f=100MHz,  
GS  
R =1.0kꢁ  
5.0  
5.0  
5.0  
dB  
dB  
G
NF  
V
=15V, V =0, f=1.0kHz,  
GS  
DS  
R =1.0Mꢁ  
-
-
2.0  
-
-
2.0  
-
-
2.0  
-
-
G
V
V
=15V, V =0, f=1.0kHz  
100  
100  
100  
100 nV/ Hz  
N
DS GS  
R1 (25-April 2018)  
1234

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