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2N5881

更新时间: 2024-09-19 13:47:55
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1页 69K
描述
60V,15A,160W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

2N5881 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.31
最大集电极电流 (IC):15 A基于收集器的最大容量:400 pF
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):4最大降落时间(tf):800 ns
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):160 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):700 ns子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
VCEsat-Max:4 V

2N5881 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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