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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5875T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
|
| 2N5876 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N5876 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5876 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5876 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5876 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5876 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5876 | ASI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
|
| 2N5876 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N5876E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
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