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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5886G | ONSEMI |
功能相似  |
Complementary Silicon High−Power Transistors |
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| 2N5885G | ONSEMI |
功能相似 |
Complementary Silicon High−Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5875T | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N5876 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N5876 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5876 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5876 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5876 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5876 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5876 | ASI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
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| 2N5876 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5876E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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