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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 基于收集器的最大容量： | 500 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大上升时间（tr）： | 700 ns |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1800 ns | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5875T | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N5876 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N5876 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5876 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5876 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5876 | NJSEMI | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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