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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | METAL CAN-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5875 | ASI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
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| 2N5875 | MICROSEMI | 暂无描述 |
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| 2N5875 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5875 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5875 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5875 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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