5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5868E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
获取价格 |
|
| 2N5869 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
获取价格 |
|
| 2N5869 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
获取价格 |
|
| 2N5869 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
获取价格 |
|
| 2N587 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
获取价格 |
|
| 2N5870 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
