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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5868 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5868 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5868 | APITECH |
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Transistor, |
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| 2N5868 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5868E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5869 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5869 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5869 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N587 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N5870 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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