5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5867E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5868 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5868 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5868 | APITECH |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N5868 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5868E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5869 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5869 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5869 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
|
| 2N587 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
