是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.39 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 25 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
最大关闭时间(toff): | 60 ns | 最大开启时间(吨): | 25 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5864 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. | |
2N5865 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 | |
2N5867 | APITECH |
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Transistor, | |
2N5867 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
2N5867 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N5867 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N5867 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | |
2N5867E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | |
2N5868 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N5868 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |