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2N5672

更新时间： 2024-01-27 10:00:41

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	113K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5672 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.31	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

2N5672 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5671 2N5672

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current ,high speed

APPLICATIONS

·Intended for high current and fast

switching industrial applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

120

150

UNIT

2N5671

2N5672

2N5671

2N5672

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

120

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_B

Base current

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

140

200

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.25

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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