2N5642

更新时间： 2024-11-18 07:28:59

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2N5642 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	基于收集器的最大容量：	35 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2N5642 数据手册

2N5642

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI 2N5642 is Designed for

28 V Large Signal Class C Amplifier

Applications up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380" 4L STUD

FEATURES INCLUDE:

• Emitter Ballasting

• Gold Metalization

• 3/8" SOE Stud Package

MAXIMUM RATINGS

3.0 A

35 V

I_C

V_CE

V_CB

P_DISS

T_J

65 V

30 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to + 200 ^OC

-65 ^OC to + 150 ^OC

5.8 ^OC/W

1 = COLLECTOR

2 & 4 = EMITTER

T_STG

θ_JC

3 = BASE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

BV_CES

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

1.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

P_OUT= 20 W

5.0

C_OB

V_CB= 30 V

V_CC=28 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

8.2

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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