2N5642

更新时间： 2024-02-21 11:32:55

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5642 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.07	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2N5642 数据手册

2N5642

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI 2N5642 is Designed for

28 V Large Signal Class C Amplifier

Applications up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380" 4L STUD

FEATURES INCLUDE:

• Emitter Ballasting

• Gold Metalization

• 3/8" SOE Stud Package

MAXIMUM RATINGS

3.0 A

35 V

I_C

V_CE

V_CB

P_DISS

T_J

65 V

30 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to + 200 ^OC

-65 ^OC to + 150 ^OC

5.8 ^OC/W

1 = COLLECTOR

2 & 4 = EMITTER

T_STG

θ_JC

3 = BASE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

BV_CES

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

1.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

P_OUT= 20 W

5.0

C_OB

V_CB= 30 V

V_CC=28 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

8.2

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

下载PDF

与2N5642相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5643	NJSEMI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
2N5643	STMICROELECTRONICS	7W / 20W / 40W, 28V, VHF POWER TRANSISTOR	获取价格
2N5643	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
2N5646	NJSEMI	SI NPN POWER HF BJI	获取价格
2N56-50-8080-A00	3M	QFN56, IC SOCKET	获取价格
2N5653	NJSEMI	JFET SWITCHING	获取价格