5秒后页面跳转
2N5624E3 PDF预览

2N5624E3

更新时间: 2024-11-24 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

2N5624E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N5624E3 数据手册

  

与2N5624E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5625 SAVANTIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2N5625 JMNIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2N5625 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
2N5625 ISC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2N5625E3 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
2N5626 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5626 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5626 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5626 ASI

获取价格

Transistor
2N5626E3 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL