2N5624

更新时间： 2024-02-24 01:48:24

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	119K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5624 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

2N5624 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N5622 2N5624 2N5626 2N5628

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For audio and general-purpose

applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5622

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5624/5626

2N5628

100

120

2N5622

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

2N5624/5626

2N5628

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

150

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.5

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N5625	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
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