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2N5623

更新时间： 2024-01-25 23:38:54

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3页	43K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5623 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2N5623 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon PNP Power Transistors 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector-emitter saturation voltage

APPLICATIONS

·For audio and general-purpose

applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5621

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5623/5625

2N5627

100

2N5621

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

2N5623/5625

2N5627

100

120

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

150

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.5

℃/W

JMnic

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N5624	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5624	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5624	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N5624E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格