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2N5620

更新时间： 2024-02-03 09:10:02

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3页	112K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5620 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz

2N5620 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N5614 2N5616 2N5618 2N5620

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For general-purpose amplifier ;

and switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5614

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5616/5618

2N5620

100

120

2N5614

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25ꢀ

2N5616/5618

2N5620

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

ꢀ

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.5

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5620E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
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2N5621	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5621	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5621	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5621E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格