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2N5609E3

更新时间： 2024-01-15 03:52:17

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	84K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

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2N5609E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5609E3 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N561	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3	获取价格
2N5610	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	获取价格
2N5610	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5610	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5610	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5610	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格

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