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2N5469 PDF预览

2N5469

更新时间： 2024-02-22 05:50:19

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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技术参数
数据手册

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2N5469 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N5469 数据手册

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Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5468 2N5469

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·High-voltage capability

·Fast switching speeds

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·They are intended for use in off-line power

supplies ,inverter and converter circuits

PINNING

PIN

DESCRIPTION

1

Base

2

3

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5468

2N5469

500

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V

700

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

400

V

V

Open collector

7

3

A

I_CM

I_B

Collector current-peak

Base current

5

1

A

A

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

70

W

℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

5.0

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N547	NJSEMI	NPN SWITCHING TRANSISTORS	获取价格
2N5470	TI	2N5470	获取价格
2N5470	NSC	TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-215AA	获取价格
2N5471	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| P-CHANNEL \| 60UA I(DSS) \| TO-72	获取价格
2N5477	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N5478	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-210AA	获取价格

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