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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5367TRE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2N5367TRELEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2N5367TRF | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2N5367TRFLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2N5368 | MICRO-ELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
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| 2N5368 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091 |
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| 2N5369 | MICRO-ELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
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| 2N5369 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091 |
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| 2N5369RLRA | ONSEMI |
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JFET Chopper Transistors |
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| 2N5369RLRAG | ONSEMI |
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JFET Chopper Transistors N-Channel - Depletion |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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