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2N5302

更新时间： 2024-01-02 01:24:58

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	254K
描述
POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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2N5302 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N5302 数据手册

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by 2N5301/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . for use in power amplifier and switching circuits applications.

20 AND 30 AMPERE

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

•

High Collector–Emitter Sustaining Voltage —

= 80 Vdc (Min) @ I = 200 mAdc (2N5303)

Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

CEO(sus)

•

40–60–80 VOLTS

200 WATTS

= 0.75 Vdc (Max) @ I = 10 Adc (2N5301, 2N5302)

CE(sat)

= 1.0 Vdc (Max) @ I = 10 Adc (2N5303)

•

Excellent Safe Operating Area —

200 Watt dc Power Rating to 30 Vdc (2N5303)

Complements to PNP 2N4398, 2N4399 and 2N5745

*MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol 2N5301 2N5302 2N5303

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Base Current

CEO

7.5

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

200

1.14

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–65 to +200

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

0.875

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Case to Ambient

* Indicates JEDEC Registered Data.

8.0 200

6.0 150

4.0 100

2.0

100

120 140

160 180 200

TEMPERATURE (

Figure 1. Power Temperature Derating Curve

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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